重新布线层的制备方法及其结构

发明专利有效专利

申请号：
CN202010105905.0
IPC分类号：H01L21/60;H01L23/485
申请日期：
2020-02-20
申请人：
盛合晶微半导体（江阴）有限公司

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著录项信息

专利名称	重新布线层的制备方法及其结构
申请号	CN202010105905.0	申请日期	2020-02-20
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-20	公开/公告号	CN113284812A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/60 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/60 引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;5查看分类表>
申请人	盛合晶微半导体（江阴）有限公司	申请人地址	江苏省无锡市江阴市长山大道78号（经营场所江阴市东盛西路9号）变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	盛合晶微半导体（江阴）有限公司	当前权利人	盛合晶微半导体（江阴）有限公司
发明人	尹佳山;周祖源;吴政达;林正忠
代理机构	上海光华专利事务所（普通合伙）	代理人	贺妮妮

摘要

本发明提供一种重新布线层的制备方法及其结构，该方法包括：于支撑基底上形成扩散阻挡层及金属种子层；于金属种子层上形成具有填充窗口的光刻胶层；于金属种子层上形成金属线层；于金属线层上形成至少两层缓冲层，每层缓冲层的表面具有孔隙，且相邻两层缓冲层表面孔隙的位置不相同；去除光刻胶层、金属种子层和扩散阻挡层；将保护层电性引出。通过电镀工艺形成至少两层缓冲层，有效提高了叠层结构的连续性，同时提高了保护层的连续性，保证叠层结构与保护层之间的粘合力，提高了重新布线层的稳定性能；在后续的打线工艺中，叠层结构与保护层之间不易出现剥离现象，提高了重新布线层的产品良率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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