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Ⅲ－V族单晶半导体化合物平衡压力生长装置与方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200480006874.2
IPC分类号：C30B13/00;C30B13/28
申请日期：
2004-03-02
申请人：
AXT公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	Ⅲ－V族单晶半导体化合物平衡压力生长装置与方法
申请号	CN200480006874.2	申请日期	2004-03-02
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2006-07-05	公开/公告号	CN1798879
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B13/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B13/00 区域熔融法单晶生长；区域熔融法精炼（C30B 17/00优先；改变所处理固体之横截面的入C30B 15/00；在保护流体下的入C30B 27/00；具有一定结构的均匀多晶材料的生长入C30B 28/00；特定材料的区域精炼，见该材料的相应小类）〔3，5〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;3;/;0;0;;;C;3;0;B;1;3;/;2;8查看分类表>
申请人	AXT公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	AXT公司	当前权利人	AXT公司
发明人	X·G·刘;M·杨
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	赵蓉民

摘要

一种用于密闭系统中III－V族单晶半导体化合物生长的装置和方法，在该密闭系统中，一个密封安瓿与一个压力容器之间的压力维持平衡。可利用密封安瓿的温度、多晶炉料的数量以及材料例如磷的量将密封安瓿内部的蒸汽压控制在5atm。填充和释放一种惰性气体来控制压力容器的压力。

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