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具有字线分隔层的半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010951488.1
  • IPC分类号:H01L27/11563;H01L27/11573
  • 申请日期:
    2020-09-11
  • 申请人:
    三星电子株式会社
著录项信息
专利名称具有字线分隔层的半导体装置
申请号CN202010951488.1申请日期2020-09-11
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-07-09公开/公告号CN113097213A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/11563
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;6;3;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7;3查看分类表>
申请人三星电子株式会社申请人地址
韩国京畿道水原市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电子株式会社当前权利人三星电子株式会社
发明人鲁知艺;林珍洙;张大铉;千志成;洪祥准
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司代理人陈晓博;刘林果
摘要
提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括:外围电路结构,设置在基底上;下堆叠件和上堆叠件,下堆叠件设置在外围电路结构上,上堆叠件设置在下堆叠件上,下堆叠件包括多个下绝缘层和与所述多个下绝缘层交替地堆叠的多条下字线;多个沟道结构,在单元阵列区中延伸穿过下堆叠件和上堆叠件;一对分隔绝缘层,竖直地延伸穿过下堆叠件和上堆叠件并且在水平方向上延伸,所述一对分隔绝缘层在竖直方向上彼此间隔开;以及字线分隔层,设置在下堆叠件的上部处并且当在平面图中观看时与所述一对分隔绝缘层交叉,字线分隔层竖直地延伸穿过所述多条下字线中的至少一条下字线。

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