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磁场直拉硅单晶的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510015279.1
  • IPC分类号:C30B15/00;C30B29/06
  • 申请日期:
    2005-09-29
  • 申请人:
    天津市环欧半导体材料技术有限公司
著录项信息
专利名称磁场直拉硅单晶的制备方法
申请号CN200510015279.1申请日期2005-09-29
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2006-04-26公开/公告号CN1763265
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C30B15/00IPC分类号C;3;0;B;1;5;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人天津市环欧半导体材料技术有限公司申请人地址
天津市河东区张贵庄路152号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津市环欧半导体材料技术有限公司当前权利人天津市环欧半导体材料技术有限公司
发明人沈浩平;胡元庆;汪雨田;刘为钢;李翔;刘宇;李海静;周建华
代理机构天津中环专利商标代理有限公司代理人王凤英
摘要
本发明涉及一种硅单晶的制备方法,特别涉及一种用于半导体器件的磁场直拉硅单晶的制备方法。该方法包括有打开电磁场及拉细颈工艺流程,其操作步骤如下:当多晶料完全熔化之后,即顺时针旋转手柄,使电磁场机构复位,然后闭合电源开关;按下磁场控制器按钮,启动磁场,首先双手分别同步顺时针旋转加载电流旋钮,缓慢地将电流加至35A;当磁场强度大于1200GS时,将埚转调至1-8转/分,再开动籽晶旋转机构,使晶转为12-16转/分,然后调整坩埚位置;在拉细颈时,先将籽晶行程调至零位,然后旋转晶升电位器,逐步提高拉速至16英寸/小时。采用该方法制备的硅单晶解决了电阻率径向分布不均匀、容易产生漩涡缺陷和氧含量高等技术问题,从而提高了产品质量,满足了市场需求。

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