半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200310100789.X
IPC分类号：--
申请日期：
2003-10-10
申请人：
松下电器产业株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN200310100789.X	申请日期	2003-10-10
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2004-05-19	公开/公告号	CN1497719
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	松下电器产业株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	松下电器产业株式会社	当前权利人	松下电器产业株式会社
发明人	福本彰
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	黄剑锋

摘要

本发明提供一种半导体器件和其制造方法，在用于对键合焊盘进行开口的腐蚀工序后，在绝缘保护膜上不发生缺损，可不增加使成本上升的工序来进行制造。本发明的半导体器件在半导体衬底上形成多条布线(101)或导电膜图形，并在所述多条布线(101)或导电膜图形间形成间隙，其中：在所述多条布线(101)或导电膜图形的至少一个弯曲部或末端部，从夹持所述间隙的某一个的布线或导电膜图形向所述间隙形成突出部(102)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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