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半导体装置的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN03152509.1
  • IPC分类号:H01L21/50
  • 申请日期:
    2003-08-01
  • 申请人:
    罗姆股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体装置的制造方法
申请号CN03152509.1申请日期2003-08-01
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2004-03-10公开/公告号CN1481002
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/50IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;5;0查看分类表>
申请人罗姆股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人柴田和孝
代理机构中科专利商标代理有限责任公司代理人李香兰
摘要
一种半导体装置的制造方法,接合形成在第一半导体衬底上的第一金属凸起和形成在第二半导体衬底上的第二金属凸起。该方法包括:在所述第一金属凸起和所述第二金属凸起中的至少一方的顶端部形成由低熔点金属构成的层的低熔点金属层形成步骤;在使所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底分开的状态下,使所述第一半导体衬底为所述低熔点金属的固相线温度以上的第一温度,且使所述第二半导体衬底为所述低熔点金属的固相线温度以下的第二温度的衬底温度调整步骤;该衬底温度调整步骤之后使所述第一金属凸起和所述第二金属凸起接近的金属凸起接近步骤;在该金属凸起接近步骤之后使第一半导体衬底和第二半导体衬底为低熔点金属的固相线温度以下的步骤。

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