氮化物半导体激光器的制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810183988.4
IPC分类号：H01S5/028;H01S5/10;H01S5/223
申请日期：
2008-12-19
申请人：
三菱电机株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	氮化物半导体激光器的制造方法
申请号	CN200810183988.4	申请日期	2008-12-19
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-06-24	公开/公告号	CN101465518
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/028 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/02 基本上不涉及激光作用的结构零件或组件〔7〕 H01S5/028 镀层〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;2;8;;;H;0;1;S;5;/;1;0;;;H;0;1;S;5;/;2;2;3查看分类表>
申请人	三菱电机株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱电机株式会社	当前权利人	三菱电机株式会社
发明人	铃木洋介;中川康幸;臧本恭介;白滨武郎
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	何欣亭;王丹昕

摘要

本发明提供减小在谐振器端面上形成的氮化物电介质膜的应力，并减少在形成氮化物电介质膜时产生的对谐振器端面的损伤的、可靠性高的氮化物半导体激光器的制造方法。本发明的氮化物半导体激光器的制造方法，是采用氮化物III－V族半导体的氮化物半导体激光器的制造方法，其特征在于包括：(a)利用由氮气组成的等离子体，在光出射侧谐振器端面(20)和光反射侧谐振器端面(23)上形成由氮化物电介质构成的密着层(21、24)的工序；以及(b)在密着层(21、24)上形成由电介质构成的低反射端面镀膜(22)和高反射端面镀膜(25)的工序。

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