等离子体处理装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201610082046.1
IPC分类号：H05H1/46
申请日期：
2010-10-27
申请人：
东京毅力科创株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	等离子体处理装置
申请号	CN201610082046.1	申请日期	2010-10-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-06-22	公开/公告号	CN105704904A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05H1/46 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05H 等离子体技术（离子束管入H01J 27/00；磁流体发电机入H02K 44/08；涉及生成等离子体的产生X射线的入H05G 2/00）；加速的带电粒子或中子的产生（从放射源获取中子的入G21，例如：G21B，G21C，G21G）；中性分子或原子射束的产生或加速（原子钟入G04F 5/14；受激发射器件入H01S；通过与由分子、原子或亚原子粒子的能级所确定的基准频率相比较而进行频率调整的入H03L 7/26） H05H1/00 等离子体的产生；等离子体的处理（等离子体技术在热核聚变反应器的应用入G21B 1/00） H05H1/24 等离子体的产生〔2〕 H05H1/46 应用外加电磁场的，例如高频能或微波能（H05H 1/26优先）〔3〕	IPC分类号	H;0;5;H;1;/;4;6查看分类表>
申请人	东京毅力科创株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东京毅力科创株式会社	当前权利人	东京毅力科创株式会社
发明人	山泽阳平;传宝一树;山涌纯
代理机构	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人	龙淳;龙伟

摘要

本发明提供等离子体处理装置，目的在于在电感耦合型的等离子体处理装置中改善方位角方向上的等离子体密度分布的均匀性。该电感耦合型的等离子体蚀刻装置在与RF天线(54)接近的电介质窗之下环形地生成电感耦合的等离子体，使该环形的等离子体在广阔的处理空间内分散，从而在基座(12)附近(即半导体晶片(W)上)使等离子体的密度均匀化。RF天线(54)具有线圈直径不同的多个单绕线圈(54(1)、54(2)、54(3))。各线圈(54(1)、54(2)、54(3))的高频供电点夹着非常小的切口而设置。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供