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晶体硅太阳能电池片电致衰减老化装置及老化方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010507657.9
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2010-10-15
  • 申请人:
    苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
著录项信息
专利名称晶体硅太阳能电池片电致衰减老化装置及老化方法
申请号CN201010507657.9申请日期2010-10-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2011-04-27公开/公告号CN102034897A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人苏州阿特斯阳光电力科技有限公司申请人地址
江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州阿特斯阳光电力科技有限公司当前权利人苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
发明人陈根茂;彭江;王人松;何连生
代理机构苏州创元专利商标事务所有限公司代理人陶海锋
摘要
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片电致衰减老化装置及老化方法,该装置包括电源、支架、设于支架上的上导电板和下导电板,以及驱动装置;所述上导电板和下导电板上下相对设置,其中一个导电板与支架固定连接,另一个导电板与所述驱动装置的输出端连接;所述上导电板和下导电板分别通过导线与电源连接。本发明的晶体硅太阳能电池片电致衰减老化装置能利用电致衰减原理实现了对电池片的早期衰减,实现电池片早期衰减的工业化生产线上应用。

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