带有第一和第二场电极结构的半导体装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201610122679.0
IPC分类号：H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336
申请日期：
2016-03-04
申请人：
英飞凌科技奥地利有限公司

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专利名称	带有第一和第二场电极结构的半导体装置
申请号	CN201610122679.0	申请日期	2016-03-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-09-14	公开/公告号	CN105938847A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/40 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/40 按其电极特征区分的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;4;0;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	英飞凌科技奥地利有限公司	申请人地址	奥地利菲拉赫变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英飞凌科技奥地利有限公司	当前权利人	英飞凌科技奥地利有限公司
发明人	F.希尔勒;M.H.菲勒迈尔
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	申屠伟进;杜荔南

摘要

本发明涉及带有第一和第二场电极结构的半导体装置。半导体装置包含：从第一表面延伸到半导体部分中的第一和第二场电极结构。第一场电极结构包含使针状第一场电极与半导体部分绝缘的第一场电介质。第二场电极结构包含使针状第二场电极与半导体部分绝缘的第二场电介质。第二场电介质比第一场电介质更厚。在第一表面中第一和第二场电极结构的开口可以是非圆形对称的，其中第二场电极结构的开口关于第一场电极结构的开口倾斜。替选地或附加地，在第一表面中第二场电极结构的开口可以比第一场电极结构的开口更大。

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