一种控制器高导热装置

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202023319226.8
IPC分类号：H01L23/373;H01L23/367;H01L23/40
申请日期：
2020-12-31
申请人：
无锡太机脑智能科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种控制器高导热装置
申请号	CN202023319226.8	申请日期	2020-12-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/373 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/36 为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器〔2〕 H01L23/373 为便于冷却的器件材料选择〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;7;3;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;4;0查看分类表>
申请人	无锡太机脑智能科技有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新吴区菱湖大道111号软件园天鹅座D1501室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡太机脑智能科技有限公司	当前权利人	无锡太机脑智能科技有限公司
发明人	张慕生
代理机构	常州佰业腾飞专利代理事务所（普通合伙）	代理人	王清

摘要

本实用新型公开了一种控制器高导热装置，包括以下步骤：芯片在使用发热后，热量通过高导热系数的液态金属传递到导热铜块上；采用铜块与铝制散热片轧制在一起，并使得铜块与液态金属直接接触；利用铜良好的吸热性能，热量很快传递到铜块上，铜块与铝制散热片因为轧制在一起且接触面积大，铜块上的热量很快传递到铝制散热片上，又利用铝优异的散热性能，热量很快被散出去；热量会再次被传递至添加在铝制散热片外侧的散热器上。本实用新型采用铜铝复合的方式，充分利用铜的吸热性能和铝的散热性能，并采用导热系数高的液态金属，从芯片端到铝散热片导热通路不存在瓶颈，极大的提高了散热性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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