非易失性存储装置及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200880120121.2
IPC分类号：H01L27/10;H01L45/00;H01L49/00;H01L49/02
申请日期：
2008-12-02
申请人：
松下电器产业株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	非易失性存储装置及其制造方法
申请号	CN200880120121.2	申请日期	2008-12-02
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2010-11-24	公开/公告号	CN101897024A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/10 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;0;;;H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;4;9;/;0;0;;;H;0;1;L;4;9;/;0;2查看分类表>
申请人	松下电器产业株式会社	申请人地址	日本京都府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	松下半导体解决方案株式会社	当前权利人	松下半导体解决方案株式会社
发明人	三河巧;富永健司;岛川一彦;东亮太郎
代理机构	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人	龙淳;刘春成

摘要

本发明提供一种非易失性存储装置，其特征在于，具备：基板(1)；第一配线(3)；埋入形成于第一通孔(4)的第一充填部(5)；由与第一配线(3)正交且依次层叠有第一电阻变化元件的电阻变化层(6)、导电层(7)、第二电阻变化元件的电阻变化层(8)的多层而构成的第二配线(11)；埋入形成于第二通孔(13)的第二充填部(14)；和第三配线(15)，第二配线(11)的导电层(7)起到第一电阻变化元件(9)的电极的作用和第二电阻变化元件(10)的电极的作用。

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