半导体电子致冷装置专用圆柱形蒸发腔

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201020243097.6
IPC分类号：F28D15/02;F28D15/04
申请日期：
2010-07-01
申请人：
郭琛

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著录项信息

专利名称	半导体电子致冷装置专用圆柱形蒸发腔
申请号	CN201020243097.6	申请日期	2010-07-01
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	F28D15/02 ? IPC结构图谱： F 机械工程；照明；加热；武器；爆破 F2 照明；加热 F28 一般热交换 F28D 其他小类中不包括的热交换设备，其中热交换介质不直接接触的（传热、热交换或储热材料入C09K 5/00；有热量产生装置的和传热装置的流体加热器入F24H；炉入F27；一般用途的热交换设备的零部件入F28F）；一般贮热装置或设备〔4〕 F28D15/00 在通入或穿过通道壁的封闭管道里有中间传热介质的热交换设备 F28D15/02 其中介质凝结和蒸发，例如热管〔4〕	IPC分类号	F;2;8;D;1;5;/;0;2;;;F;2;8;D;1;5;/;0;4查看分类表>
申请人	郭琛	申请人地址	河北省石家庄市长安区育才街58号先天下开元花园B2-1-2601 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	郭琛	当前权利人	郭琛
发明人	郭琛
代理机构	石家庄汇科专利商标事务所	代理人	王琪

摘要

本实用新型属于半导体电子致冷及传热领域，特别是指一种与半导体电子致冷装置配套使用的圆柱形蒸发腔。蒸发腔为与热管两端连通的中空结构，包括筒体、与筒体开口边沿一体化成型且沿其径向分布的凸沿，以及封装于筒体开口表面的金属端盖；所述的蒸发腔为一钢质且整体呈中空圆柱形的空腔结构。本实用新型解决了现有技术存在的热阻大、生产工艺复杂、成品率低的问题。具有热阻小、生产工艺简单、成品率高、换热效果好等优点。

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