高线性度的互补金属氧化物半导体转导电路

发明专利无效专利

申请号：
CN02120450.0
IPC分类号：H03F1/32;H03F1/34;H03F3/18
申请日期：
2002-05-23
申请人：
财团法人工业技术研究院

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著录项信息

专利名称	高线性度的互补金属氧化物半导体转导电路
申请号	CN02120450.0	申请日期	2002-05-23
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-12-03	公开/公告号	CN1459924
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03F1/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03F 放大器（测量、试验入G01R；光参量放大器入G02F；具有二次发射管的电路装置入H01J 43/30；微波激射器，激光器入H01S；电动放大器入H02K；放大的控制入H03G；与放大器特性无关的耦合装置，分压器入H03H；只能处理脉冲的放大器入H03K；传输线路中的中继器电路入H04B 3/36、H04B 3/58；电话通信中音频放大器的应用入H04M 1/60，H04M 3/40） H03F1/00 只用电子管，只用半导体器件或只用未特别指明的器件作为放大元件的放大器的零部件 H03F1/32 为减少非线性失真对放大器的改进（用负反馈的入H03F 1/34）	IPC分类号	H;0;3;F;1;/;3;2;;;H;0;3;F;1;/;3;4;;;H;0;3;F;3;/;1;8查看分类表>
申请人	财团法人工业技术研究院	申请人地址	台湾省新竹县竹东镇中兴路四段195号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	财团法人工业技术研究院	当前权利人	财团法人工业技术研究院
发明人	楼志宏
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	任永武

摘要

本发明提出一互补金属氧化物半导体(CMOS)转导电路，用以同时提供高速与高线性度的特性，其包含一输出晶体管，此输出晶体管的源极用以接受电流源的输入，而输出晶体管的闸极用以接受另一电流源的输入，并且由输出晶体管的汲极输出电流；一电阻，是连接输出晶体管的源极；及一区域负反馈电路，是将输出晶体管的闸极负反馈连接至输出晶体管的源极，并使得此互补金属氧化物半导体转导电路的转导值为电阻值的倒数。

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