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基于带隙集电极的漏电流补偿结构、方法、装置及设备

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110836576.1
  • IPC分类号:G05F1/567
  • 申请日期:
    2021-07-23
  • 申请人:
    深圳英集芯科技股份有限公司
著录项信息
专利名称基于带隙集电极的漏电流补偿结构、方法、装置及设备
申请号CN202110836576.1申请日期2021-07-23
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-09-21公开/公告号CN113419591A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G05F1/567
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IPC结构图谱:
IPC分类号G;0;5;F;1;/;5;6;7查看分类表>
申请人深圳英集芯科技股份有限公司申请人地址
广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区打石一路深圳国际创新谷八栋(万科云城三期C区八栋)A座3104房研发用房 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳英集芯科技股份有限公司当前权利人深圳英集芯科技股份有限公司
发明人黄洪伟
代理机构广州三环专利商标代理有限公司代理人卢泽明
摘要
本发明适用于电子电路技术领域,提供了一种基于带隙集电极的漏电流补偿结构、方法、装置及计算机设备,包括:带隙集电极单元,包括第一三极管和N个第二三极管,N个第二三极管的基极与第一三极管的基极连接,N个第二三极管的集电极与第一三极管的集电极均与偏置电流输入端Iin连接,N个第二三极管的发射极通过第一电阻接地,第一三极管的发射极接地;电流补偿单元,包括M个第三三极管,第三三极管的发射极、基极和集电极短接后与第一三极管的集电极连接,其中,M=N‑1。本申请实施例通过将第一电阻两端的电压始终保持为常数,使得带隙集电极能在更高的温度范围内保持理想的温度补偿效果,从而保证芯片能工作在更高的温度范围。

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