一种MEMS加速度传感器及其制备方法、电子装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201510106517.3
IPC分类号：G01P15/125
申请日期：
2015-03-11
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种MEMS加速度传感器及其制备方法、电子装置
申请号	CN201510106517.3	申请日期	2015-03-11
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2016-10-19	公开/公告号	CN106033091A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01P15/125 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01P 线速度或角速度、加速度、减速度或冲击的测量；运动的存在或不存在的指示；运动的方向的指示（利用陀螺效应测量角速率入G01C 19/00；用于测量两个或多个运动变量的组合测量设备入G01C 23/00；声速测量入G01H 5/00；光速测量入G01J 7/00；通过无线电波或其他波的反射或再辐射，且基于传播效应（例如多普勒效应）、传播时间或传播方向来测量固体物体的方向或速度入G01S；核辐射速度的测量入G01T） G01P15/00 测量加速度；测量减速度；测量冲击即加速度的突变 G01P15/02 利用惯性力（G01P 15/14优先）〔1，7，2013.01〕 G01P15/08 用变换成电或磁量 G01P15/125 应用电容变送器〔3〕	IPC分类号	G;0;1;P;1;5;/;1;2;5查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	何昭文;王珊珊
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	高伟;冯永贞

摘要

本发明涉及一种MEMS加速度传感器及其制备方法、电子装置，所述MEMS加速度传感器包括：半导体衬底；第一检测质量块，悬空设置于半导体衬底的上方；第二检测质量块，连接设置于所述第一检测质量块的上方并且与水平设置的所述第一检测质量块相平行；弹簧结构，所述弹簧结构呈水平设置，弹簧结构的一端位于所述第一检测质量块上或/和所述第二质量检测块上，弹簧结构另一端的末端通过其下方的牺牲材料层固定于所述半导体衬底上；其中，第一检测质量块包括第一质量元件和与所述第一质量元件相连接的第一叉指结构，第二检测质量块包括第二质量元件和与所述第二质量元件相连接的第二叉指结构。本发明的优点在于所述加速度传感器的灵敏度得到进一步提高。

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