GaAs基倒装LED芯片及其制备方法、LED显示装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201710857620.0
IPC分类号：H01L33/00;H01L33/48;H01L33/60
申请日期：
2017-09-21
申请人：
山西飞虹微纳米光电科技有限公司

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专利名称	GaAs基倒装LED芯片及其制备方法、LED显示装置
申请号	CN201710857620.0	申请日期	2017-09-21
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2017-12-26	公开/公告号	CN107516698A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;0查看分类表>
申请人	山西飞虹微纳米光电科技有限公司	申请人地址	山西省临汾市甘亭工业园区山西飞虹科技集团有限公司变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山西飞虹微纳米光电科技有限公司	当前权利人	山西飞虹微纳米光电科技有限公司
发明人	米洪龙;关永莉;梁建;徐小红;王琳
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明提供一种GaAs基倒装LED芯片及其制备方法、LED显示装置。包括自下而上依次制备的GaAs衬底、AlGaAs缓冲层、GaInP腐蚀停止层、N‑GaAs层、量子阱层、P‑GaAs层和P‑GaP欧姆接触层；在P‑GaP欧姆接触层上制备金属接触层；在金属接触层上制备尺寸为LED芯片预设的切割道尺寸的键合图形；根据制备的键合图形采用湿法刻蚀工艺刻蚀切割道至N‑GaAs层上表面；在基板上依次制备键合层和反射层，将已经制备好反射层和键合层的基板与经上步处理的外延片键合，键合温度为300～400℃，键合时间为200～300ms；采用化学湿法腐蚀工艺去掉GaAs衬底和AlGaAs缓冲层；将上步处理后的外延片置于丙酮溶液中，在30～60℃下超声震荡，超声波频率为30～60MHZ，震荡时间3～8min，以将GaInP腐蚀停止层和N‑GaAs层震荡掉；本发明可提高产品良率。

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