一种湿法刻蚀的上料装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201711267254.X
IPC分类号：H01L21/67;H01L21/677;H01L31/18
申请日期：
2017-12-05
申请人：
泰州中来光电科技有限公司

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专利名称	一种湿法刻蚀的上料装置
申请号	CN201711267254.X	申请日期	2017-12-05
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2018-04-17	公开/公告号	CN107919307A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;7;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	泰州中来光电科技有限公司	申请人地址	江苏省泰州市姜堰经济开发区开阳路6号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	泰州中来光电科技有限公司	当前权利人	泰州中来光电科技有限公司
发明人	林建伟;何大娟;刘志锋;季根华;刘勇
代理机构	北京金之桥知识产权代理有限公司	代理人	林建军

摘要

本发明涉及一种湿法刻蚀的上料装置，包括上料主机台、反应槽、滚轮、储液槽，反应槽设置在上料主机台上，滚轮设置在反应槽的顶部，反应槽里放置有腐蚀液，反应槽中的腐蚀液的液面高于滚轮的底部，储液槽中的化学品和水通过循环泵输送至反应槽，储液槽上设置有化学品配液添加系统和水配液添加系统。其有益效果是：本实施例的湿法刻蚀的上料装置将上料和反应槽集成于一个单元槽，在完成硅片上料的同时，还可实现去除单面磷硅玻璃PSG、硼硅玻璃BSG、氮化硅SiNx等工艺的功能槽作用，从而增加了本发明的湿法刻蚀的上料装置的功能，减少了制造工序及设备成本，节约了功能槽的长度，节省了设备空间，减少了多道滚轮转动带来的碎片。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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