一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811063800.2
IPC分类号：H01L33/00;H01L33/02;H01L21/67
申请日期：
2018-09-12
申请人：
华灿光电（苏州）有限公司

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专利名称	一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法
申请号	CN201811063800.2	申请日期	2018-09-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-03-15	公开/公告号	CN109473511A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;3;3;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	华灿光电（苏州）有限公司	申请人地址	江苏省苏州市张家港市经济开发区晨丰公路变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华灿光电（苏州）有限公司	当前权利人	华灿光电（苏州）有限公司
发明人	王倩;洪威威;陆香花;周飚;胡加辉
代理机构	北京三高永信知识产权代理有限责任公司	代理人	徐立

摘要

本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：提供一衬底；在所述衬底上生长N型半导体层；在所述N型半导体层上生长有源层；在由氢气形成的生长气氛中，在所述有源层上生长第一P型半导体层；在由氮气形成的生长气氛中，在所述第一P型半导体层上生长第二P型半导体层；其中，所述第一P型半导体层和所述第二P型半导体层均包括多个氮化镁层和多个掺杂镁的氮化镓层，所述多个氮化镁层和所述多个掺杂镁的氮化镓层交替层叠设置。本发明可以提高P型半导体层中的空穴浓度，最终提高LED的发光效率。

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