一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410256441.8
IPC分类号：H01L33/12;H01L33/16;H01L33/00
申请日期：
2014-06-10
申请人：
广州市众拓光电科技有限公司

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专利名称	一种生长在Si衬底上的LED外延片及其制备方法
申请号	CN201410256441.8	申请日期	2014-06-10
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-09-10	公开/公告号	CN104037288A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/12 具有一个应力弛豫结构，例如缓冲层〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;H;0;1;L;3;3;/;1;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	广州市众拓光电科技有限公司	申请人地址	广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	广州市众拓光电科技有限公司	当前权利人	广州市众拓光电科技有限公司
发明人	李国强
代理机构	广州市越秀区哲力专利商标事务所（普通合伙）	代理人	汤喜友

摘要

本发明公开了一种生长在Si衬底上的LED外延片，包括Si衬底、AlN成核层、AlxGa1‑xN步进缓冲层、AlN/GaN应力补偿层、Si掺n‑GaN层、InyGa1‑yN/GaN量子阱层、AlzGa1‑zN电子阻挡层和Mg掺p‑GaN层，所述AlN成核层、AlxGa1‑xN步进缓冲层、AlN/GaN应力补偿层、Si掺n‑GaN层、InyGa1‑yN/GaN量子阱层、AlzGa1‑zN电子阻挡层和Mg掺p‑GaN层依次生长在Si衬底上。本发明采用此结构外延生长量子阱层、电子阻挡层、p型GaN层，确保在外延降温过程中不产生裂纹，能够在Si衬底上外延出高质量的GaN薄膜，降低缺陷密度，提高LED的内量子效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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