一种双模静电放电保护I/O电路

发明专利有效专利

申请号：
CN201310636544.2
IPC分类号：H01L27/02;H05F3/00;H03K19/003
申请日期：
2013-12-03
申请人：
北京中电华大电子设计有限责任公司

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专利名称	一种双模静电放电保护I/O电路
申请号	CN201310636544.2	申请日期	2013-12-03
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-03-19	公开/公告号	CN103646944A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;5;F;3;/;0;0;;;H;0;3;K;1;9;/;0;0;3查看分类表>
申请人	北京中电华大电子设计有限责任公司	申请人地址	北京市昌平区北七家未来科技城南区中国电子网络安全和信息化产业基地C栋变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京中电华大电子设计有限责任公司	当前权利人	北京中电华大电子设计有限责任公司
发明人	李志国;孙磊
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及微电子学中的集成电路(IC：Integrated Circuit)静电放电(ESD：Electro‑Static Discharge)保护设计技术领域，公开了一种双模静电放电保护I／O(Input／Output)电路，其特征在于，本发明中一级保护电路与二级保护电路协同设计，提供ESD大电流放电通路的同时，通过双向电压箝位保护技术，实现对内核电路的全面保护，通过限流保护技术，实现对ESD电路本身的保护。该发明对人体模型放电和电子枪模型放电两种不同的放电模式都可以提供针对性的放电通路和针对性的保护，为一种双模静电放电保护I／O电路。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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