含有空穴传输单元的8-羟基喹啉金属配合物的交联聚合物及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710027893.9
IPC分类号：C08F126/06;C08F2/50;C08F4/34;C08F4/04;C07D215/26;C09K11/06
申请日期：
2007-04-30
申请人：
中国科学院广州化学研究所

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著录项信息

专利名称	含有空穴传输单元的8-羟基喹啉金属配合物的交联聚合物及其制备方法
申请号	CN200710027893.9	申请日期	2007-04-30
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-10-24	公开/公告号	CN101058616
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C08F126/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C08 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 C08F 仅用碳-碳不饱和键反应得到的高分子化合物（由低碳烃制造液态烃混合物，例如通过齐聚作用入C10G 50/00；发酵或使用酶的方法合成目标化合物或组合物或从外消旋混合物中分离旋光异构体入C12P；含有碳-碳不饱和键的单体接枝聚合到纤维、丝线、纱线、织物或用这些材料制成的纤维制品入D06M 14/00）〔2〕 C08F126/00 具有1个或更多的不饱和脂族基化合物的均聚物，每个不饱和脂族基只有1个碳-碳双键，并且至少有1个是以对氮的单键或双键，或以含氮杂环为终端〔2〕 C08F126/06 以含氮的杂环〔2〕	IPC分类号	C;0;8;F;1;2;6;/;0;6;;;C;0;8;F;2;/;5;0;;;C;0;8;F;4;/;3;4;;;C;0;8;F;4;/;0;4;;;C;0;7;D;2;1;5;/;2;6;;;C;0;9;K;1;1;/;0;6查看分类表>
申请人	中国科学院广州化学研究所	申请人地址	广东省广州市天河区乐意居变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院广州化学研究所	当前权利人	中国科学院广州化学研究所
发明人	梅群波;吕满庚;童碧海
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司	代理人	杨晓松

摘要

本发明涉及一种含有空穴传输单元的8-羟基喹啉金属配合物的交联聚合物及其制备方法。本发明的含有空穴传输单元的8-羟基喹啉金属配合物的交联聚合物，其特征是，具有如下式(1)或者式(2)通式的结构其中R表示含有0到10个碳原子的烷撑基或芳基，A表示空穴传输单元，式(1)的M1表示三价金属元素，式(2)的M2表示二价金属元素。通过本发明提供的合成方法以及所制备交联聚合物，与其他方法和原料制备其他发光材料相比工艺简单、设备投资少，成本低廉，兼具优良的加工性能和光电性能，可用作有机/高分子电致发光平面显示器件中的电致发光材料，对于发展下一代性能优越的平面显示器件具有重要意义。

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