半导体器件、半导体模块以及制造半导体器件和半导体模块的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410107083.4
IPC分类号：H01L23/28;H01L23/26;H01L23/48
申请日期：
2014-03-21
申请人：
英飞凌科技股份有限公司

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专利名称	半导体器件、半导体模块以及制造半导体器件和半导体模块的方法
申请号	CN201410107083.4	申请日期	2014-03-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-09-24	公开/公告号	CN104064529A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;2;8;;;H;0;1;L;2;3;/;2;6;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8查看分类表>
申请人	英飞凌科技股份有限公司	申请人地址	德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英飞凌科技股份有限公司	当前权利人	英飞凌科技股份有限公司
发明人	G.比尔;J.赫格尔;T.施托尔策
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	杜荔南;胡莉莉

摘要

半导体器件、半导体模块以及制造半导体器件和半导体模块的方法。本发明的一方面涉及一种半导体器件（100）。该半导体器件（100）具有半导体本体（1），该半导体本体具有上侧（1t）和与上侧（1t）对立的下侧（1b）。将上金属化部（11）施加到上侧（1t）上将下金属化部（16）施加到下侧（1b）上。潮气阻挡体（2）在与上金属化部（11）和下金属化部（16）共同作用下完全密封半导体本体（1）。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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