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一种氧化锡薄膜的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410105524.7
  • IPC分类号:C03C17/23;C01G19/02;C04B41/85
  • 申请日期:
    2014-03-20
  • 申请人:
    扬州明晟新能源科技有限公司
著录项信息
专利名称一种氧化锡薄膜的制备方法
申请号CN201410105524.7申请日期2014-03-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2014-07-23公开/公告号CN103936059A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C03C17/23IPC分类号C;0;3;C;1;7;/;2;3;;;C;0;1;G;1;9;/;0;2;;;C;0;4;B;4;1;/;8;5查看分类表>
申请人扬州明晟新能源科技有限公司申请人地址
江苏省扬州市高邮市城南新区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人扬州明晟新能源科技有限公司当前权利人扬州明晟新能源科技有限公司
发明人张卫华;高中明;陈源清
代理机构扬州市锦江专利事务所代理人江平
摘要
一种氧化锡薄膜的制备方法,属于薄膜制备技术领域,本发明以锑的氟化物为掺杂源、以锡的氯化物为出发原料,经混合雾化后沉积在耐高温基板表面,以此形成一种透明且具有良好功能性的氧化锡薄膜,其氟-锑共掺杂,通过在SnO2晶体结构中,氟离子替代部分氧离子位置、锑离子替代部分锡离子位置进行掺杂,形成更高的载流子密度,从而具有比单一氟掺杂或单一锑掺杂更优越的导电性、气氛敏感性、透过率等,是一种极具优势、潜力的半导体功能薄膜材料。

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