加工半导体晶片用的压力喷射机及方法

发明专利无效专利

申请号：
CN00805533.5
IPC分类号：--
申请日期：
2000-02-22
申请人：
MEMC电子材料有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	加工半导体晶片用的压力喷射机及方法
申请号	CN00805533.5	申请日期	2000-02-22
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2002-04-17	公开/公告号	CN1345465
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	MEMC电子材料有限公司	申请人地址	美国密苏里变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	MEMC电子材料有限公司	当前权利人	MEMC电子材料有限公司
发明人	云－彪·辛;吉村一郎;亨利·F·厄尔克;拉尔夫·V·瓦杰尔吉桑;斯蒂芬·W·亨西克
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王以平

摘要

一种用于加工切自单晶晶块的半导体晶片的方法,含有使晶片的正、反面经受一次研磨操作以降低晶片的厚度并除去在晶片受切时产生的损伤的步骤。该晶片然后再经腐蚀操作以进一步降低晶片的厚度和进一步除去在研磨操作后留下的损伤。该晶片接着经受一次双面抛光操作以均匀地从正、反面除去研磨和腐蚀操作产生的损伤,从而改善晶片的平坦性并留下已抛光的正、反两面。最后,晶片的反面要经受一次反面损伤操作以便在正面受到充分保护而避免受到损伤或变粗的情况下在晶片反面引入损伤。本发明的一种压力喷射机包含一个晶片夹具,它把晶片支撑在压力喷射机内使得晶片反面暴露于喷出的磨蚀浆料,正面由夹具相隔开地支撑在该机的一个支撑表面上方以防止该支撑表面和晶片正面之间的损伤性接合。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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