固体摄像器件、摄像装置、电子设备和半导体装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201580045723.6
IPC分类号：H01L27/14;H01L23/28;H01L23/29;H01L23/31;H04N5/369
申请日期：
2015-08-28
申请人：
索尼半导体解决方案公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	固体摄像器件、摄像装置、电子设备和半导体装置
申请号	CN201580045723.6	申请日期	2015-08-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-05-31	公开/公告号	CN106796941A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/14 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/14 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的（只与一个或多个电光源在结构上相结合的辐射敏感元件入H01L 31/14；光导与光电元件的耦合入G02B 6/42）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;4;;;H;0;1;L;2;3;/;2;8;;;H;0;1;L;2;3;/;2;9;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;4;N;5;/;3;6;9查看分类表>
申请人	索尼半导体解决方案公司	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	索尼半导体解决方案公司	当前权利人	索尼半导体解决方案公司
发明人	井上晋;秋山健太郎;藤曲润一郎;石川庆太;小木纯;田川幸雄;中村卓矢;胁山悟
代理机构	北京信慧永光知识产权代理有限责任公司	代理人	陈桂香;曹正建

摘要

本发明涉及如下的固体摄像器件、摄像装置、电子设备和半导体装置：它们能够使用简单的方法来防止填充在基板与倒装芯片电气连接的部位中的底部填充树脂溢出，并且还能够防止例如电气短路及与加工装备的接触等二次损害。通过利用用于形成片上透镜的成型技术，以围绕着透镜材质层的经由焊料凸块连接有倒装芯片的范围的方式来形成环形或方形的堤坝，所述透镜材质层被设置于固体摄像器件的基板的顶层上且是为了形成所述片上透镜而被提供的。因此，该堤坝能够阻挡填充在基板与倒装芯片电气连接的范围内的底部填充树脂。本发明能够应用到固体摄像器件。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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