多晶硅铸锭炉运行中热电偶温度补偿方法、装置和系统

发明专利无效专利

申请号：
CN201110430072.6
IPC分类号：C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06
申请日期：
2011-12-20
申请人：
北京京仪世纪电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	多晶硅铸锭炉运行中热电偶温度补偿方法、装置和系统
申请号	CN201110430072.6	申请日期	2011-12-20
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-04-25	公开/公告号	CN102425003A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B11/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B11/00 正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法（C30B 13/00，C30B 15/00，C30B 17/00，C30B 19/00优先；保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;1;/;0;0;;;C;3;0;B;2;8;/;0;6;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	北京京仪世纪电子股份有限公司	申请人地址	北京市丰台区永外宋家庄苇子坑2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京京仪世纪电子股份有限公司	当前权利人	北京京仪世纪电子股份有限公司
发明人	梁仁和;李晓平;李文博;王丽丽
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	戴云霓

摘要

本发明实施例提供了一种多晶硅铸锭炉运行中热电偶温度补偿方法、装置和系统，该方法包括：在多晶硅铸锭炉运行过程中，按照预设的时间间隔周期性地获取多组第一热电偶温度数据和多组第二热电偶温度数据；根据多组第一热电偶温度数据和多组第二热电偶温度数据，生成第二热电偶的温度补偿数据；当第一热电偶发生故障时，以第二热电偶取代第一热电偶，并将当前第二热电偶的温度数据与第二热电偶的温度补偿数据之和来替代第一热电偶的温度数据。基于该方法，当参与控制的热电偶发生故障并且不能更换时，采用另外一个热电偶取代发生故障的热电偶来控制温度，能保证生产的顺利进行，防止硅锭的成品率降低甚至失败，提高生产效率，降低成本。

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