具有悬浮结构的半导体传感器及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201480075003.X
IPC分类号：G01N27/12
申请日期：
2014-12-02
申请人：
罗伯特·博世有限公司

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著录项信息

专利名称	具有悬浮结构的半导体传感器及其制造方法
申请号	CN201480075003.X	申请日期	2014-12-02
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2016-09-14	公开/公告号	CN105940295A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/12 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/02 通过测试阻抗 G01N27/04 通过测试电阻 G01N27/12 与流体的吸收有关的固体的电阻，依赖于与流体发生反应的固体的电阻	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人	罗伯特·博世有限公司	申请人地址	德国斯图加特变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	罗伯特·博世有限公司	当前权利人	罗伯特·博世有限公司
发明人	A.萨马劳;A.法伊;G.奥布赖恩;G.亚马;F.普尔克尔
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	申屠伟进;杜荔南

摘要

一种半导体气体传感器器件包括衬底、由所述衬底支撑的导电层、非适合种晶层、以及多孔气体感测层部分。所述非适合种晶层由第一材料形成，并包括由所述导电层支撑的第一支撑部分、由所述导电层支撑的第二支撑部分、以及从所述第一支撑部分延伸到所述第二支撑部分且悬浮在所述导电层之上的悬浮种晶部分。所述多孔气体感测层部分由第二材料形成，并直接由所述非适合种晶层与所述导电层电连通地支撑。所述第一材料和所述第二材料形成非适合的材料对。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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