具有气流控制系统的晶片处理反应器及方法

发明专利无效专利

申请号：
CN00804644.1
IPC分类号：--
申请日期：
2000-02-01
申请人：
硅谷集团热系统责任有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有气流控制系统的晶片处理反应器及方法
申请号	CN00804644.1	申请日期	2000-02-01
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-03-27	公开/公告号	CN1342212
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	硅谷集团热系统责任有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	硅谷集团热系统责任有限公司	当前权利人	硅谷集团热系统责任有限公司
发明人	L·D·巴索罗米夫;R·J·柏利;R·A·艾瓦尔德;J·T·伯兰德
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	龙传红

摘要

一种晶片处理系统，用于将处理气体和惰性气体输送到室中，该室包括将所述气体输送到室并将它们从室排出的多个气体流路的CVD处理区。将流量控制系统与每个排气流路耦合，并且分别控制每个处理气排气流路，以在各气体流路中维持恒定流量，而不受沉积副产品聚积的影响。利用自清洗孔，允许测量处理排气管线中的压差以测量流量。该晶片处理系统具有装载区和卸载区，它们在室周围，并且各自都有另外的惰性气体排气流路，测量这些区域的每一个区域的气体的流动特性，优选横穿孔的压差并且有选择性地调整流量控制单元以维持各个区域基本恒定的排气流量，以弥补室两边的、由可能破坏APCVD系统性能的内部(热负荷)或外部(环境)的不均衡引起的任何压力不平衡。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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