具有金属－金属电容器的集成电路的结构及其形成方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03107404.9
IPC分类号：--
申请日期：
2003-03-12
申请人：
联华电子股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有金属－金属电容器的集成电路的结构及其形成方法
申请号	CN03107404.9	申请日期	2003-03-12
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2004-02-11	公开/公告号	CN1474454
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	联华电子股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	联华电子股份有限公司	当前权利人	联华电子股份有限公司
发明人	王政烈;林建廷;陈文吉
代理机构	上海专利商标事务所	代理人	任永武

摘要

本发明有关形成于半导体结构最上层之上的金属－金属电容器及其形成方法。其中所述金属－金属电容器之下极板是位于所述半导体结构的最上层。所述金属－金属电容器的上极板与所述半导体结构与外界连接的接合垫可以在同一制程中形成。藉由所述的过程，可以有效地形成一组金属－金属电容器于一组半导体结构的最上层。另外，在所述的过程中，除了可以省下一道光罩之外，还因为金属－金属电容器是形成于半导体结构的最上层，所以可依据制程需要来延伸金属－金属电容器的电极板，进而提升金属－金属电容器的电容量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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