一种氮化硅多孔陶瓷及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610041867.7
IPC分类号：C04B35/14;C04B35/52;C04B38/00;C04B35/622
申请日期：
2006-03-02
申请人：
西安交通大学

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著录项信息

专利名称	一种氮化硅多孔陶瓷及其制备方法
申请号	CN200610041867.7	申请日期	2006-03-02
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-08-23	公开/公告号	CN1821168
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/14 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/01 以氧化物为基料的〔6〕 C04B35/14 以氧化硅为基料的〔6〕	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;1;4;;;C;0;4;B;3;5;/;5;2;;;C;0;4;B;3;8;/;0;0;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	陕西省西安市咸宁路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安交通大学	当前权利人	西安交通大学
发明人	杨建锋;高积强;金志浩;乔冠军;王红洁;陕绍云
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	刘国智

摘要

本发明公开了一种氮化硅多孔陶瓷及其制备方法，按重量百分比，将下述组分：碳、二氧化硅粉末75～95%，氮化硅1～10%，烧结助剂2～20%混合；其中碳与二氧化硅的重量比为0.4～0.6；烧结助剂包括金属氧化物Y2O3、Al2O3、MgO的至少一种；将上述初始粉末用分散剂球磨干燥后过筛，得到混合粉末；将混合粉末填入模具中，采用压力成型工艺得到成形体；把上述成形体放入气氛炉中，在氮气下以600度/小时的升温速度加热到1500度，进一步以180度/小时的升温速度加热到1700-1800度，在氮气压力为6-10个大气压下保温2～8小时，即获得烧结体。本发明的氮化硅多孔陶瓷可广泛应用于高温气氛及腐蚀性气氛下的气体分离用过滤器的基体材料，发电用燃气轮机、发动机、航天飞机等使用的耐热材料及强化材料等。

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