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多功能电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201720416429.8
  • IPC分类号:C23C16/513
  • 申请日期:
    2017-04-19
  • 申请人:
    中国科学院物理研究所
著录项信息
专利名称多功能电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统
申请号CN201720416429.8申请日期2017-04-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C16/513IPC分类号C;2;3;C;1;6;/;5;1;3查看分类表>
申请人中国科学院物理研究所申请人地址
北京市海淀区中关村南三街8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院物理研究所当前权利人中国科学院物理研究所
发明人张广宇;杨蓉;时东霞;成蒙;谢贵柏
代理机构北京市正见永申律师事务所代理人暂无
摘要
本实用新型涉及一种可用于生长二维材料的多功能电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统。现有技术的薄膜生长装置并不适于低温外延生长二维材料,而且结构复杂,功能单一,操作和维护不便,价格昂贵。本实用新型的系统利用石英管体来形成生长腔室,并且通过将等离子体生成装置在生长腔室的上游,并且与沉积衬底间隔开一距离,能够有效的控制等离子体的强度和密度,增强沉积过程的可控性,实现生长高质量的二维材料薄膜。而且,通过使用等离子体装置,不仅能够生长二维材料,而且还能够修饰或蚀刻二维材料,以及利用等离子体对管体进行清洁,实现了多种功能,并且操作和维护都十分方便。本实用新型的沉积系统成本节省,能广泛用于工厂和实验室的二维材料制备。

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