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可变电容及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN02141151.4
IPC分类号：H01L27/00;H01L21/70;H01G7/00
申请日期：
2002-07-08
申请人：
联华电子股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	可变电容及其制造方法
申请号	CN02141151.4	申请日期	2002-07-08
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2003-09-17	公开/公告号	CN1442903
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;7;0;;;H;0;1;G;7;/;0;0查看分类表>
申请人	联华电子股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路三号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	联华电子股份有限公司	当前权利人	联华电子股份有限公司
发明人	高境鸿;陈立哲
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	逯长明

摘要

一种可变电容，由在基底中的第一型式的埋层、第一型式的阱区、第二型式的掺杂区及导体层所构成。第一型式的阱区位于基底中，且第一型式的阱区具有凹陷。第一型式的埋层位于第一型式的阱区下方的基底中，且第一型式的埋层与第一型式的阱区相连接。第二型式的掺杂区位于第一型式的阱区的凹陷底部。导体层位于第一型式的埋层之上，且导体层与第一型式的埋层相连接。

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