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NMOS管嵌入式双向可控硅静电防护器件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810062061.5
  • IPC分类号:H01L27/06;H01L23/60;H01L29/747
  • 申请日期:
    2008-05-28
  • 申请人:
    浙江大学
著录项信息
专利名称NMOS管嵌入式双向可控硅静电防护器件
申请号CN200810062061.5申请日期2008-05-28
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-10-08公开/公告号CN101281909
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/06IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;6;;;H;0;1;L;2;3;/;6;0;;;H;0;1;L;2;9;/;7;4;7查看分类表>
申请人浙江大学申请人地址
浙江省杭州市西湖区浙大路38号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江大学当前权利人浙江大学
发明人朱科翰;董树荣;韩雁
代理机构杭州天勤知识产权代理有限公司代理人胡红娟
摘要
本发明公开了一种NMOS管嵌入式双向可控硅静电防护器件,包括P型衬底,P型衬底上设有N阱、第一T阱和第二T阱,第一T阱和第二T阱四周侧面被N阱包围,第一T阱和第二T阱上一P+扩散有源区和一N+扩散有源区,第一T阱和第二T阱之间的N阱上设有一N+扩散有源区,N+扩散有源区之间的T阱表面覆有多晶硅层,多晶硅层与第一T阱和第二T阱通过SiO2氧化层隔离,各扩散有源区之间均通过浅沟槽隔离。本发明双向可控硅静电防护器件的N+扩散有源区之间的T阱表面覆有多晶硅层、T阱上的P+扩散有源区和N+扩散有源区相当于一个嵌入的NMOS管,可大大降低该器件的触发电压。

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