一种移相器和耦合器及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201280000484.9
IPC分类号：H01P1/18
申请日期：
2012-03-14
申请人：
华为技术有限公司;上海交通大学

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著录项信息

专利名称	一种移相器和耦合器及其制造方法
申请号	CN201280000484.9	申请日期	2012-03-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2012-10-31	公开/公告号	CN102763264A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01P1/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01P 波导；谐振器、传输线或其他波导型器件（工作在光频的入G02B） H01P1/00 辅助器件（波导型耦合器件入H01P 5/00） H01P1/18 移相器（H01P 1/165优先）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;P;1;/;1;8查看分类表>
申请人	华为技术有限公司;上海交通大学	申请人地址	广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华为技术有限公司,上海交通大学	当前权利人	华为技术有限公司,上海交通大学
发明人	许牧;高磊;苏翼凯;李菲
代理机构	北京中博世达专利商标代理有限公司	代理人	申健

摘要

本发明实施例提供一种移相器和耦合器及其制造方法，涉及光子学领域，能够减小光学损耗、提高光场能量利用率并提高器件响应速度。该移相器包括：底层硅层和覆盖底层硅层的绝缘层；覆盖绝缘层的顶层硅层，顶层硅层包括两个隔离槽，两个隔离槽被公共槽壁隔开，该公共槽壁即波导，波导的高度高于两个隔离槽的外侧槽壁；分别覆盖两个隔离槽的两个外侧槽壁的第一阴极金属层和第二阴极金属层；覆盖第一阴极金属层、第二阴极金属层和顶层硅层的电光聚合物材料层；形成在波导上方的电光聚合物材料层上方的上层电极，上层电极和波导之间形成有被电光聚合物材料层填充的狭缝；覆盖上层电极和电光聚合物材料层的第二保护层。本发明实施例应用于电光移相。

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