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半导体器件精细图案的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010245580.2
IPC分类号：H01L21/027;H01L21/311
申请日期：
2010-07-27
申请人：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件精细图案的制作方法
申请号	CN201010245580.2	申请日期	2010-07-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-02-08	公开/公告号	CN102347217A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/027 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/027 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	何其旸;张翼英
代理机构	北京德琦知识产权代理有限公司	代理人	牛峥;王丽琴

摘要

本发明提供了一种半导体器件精细图案的制作方法，所述精细图案为相间排列的间隔和线。本发明采用对有机层两侧进行离子注入的方式，形成硬化的侧壁层，然后灰化去除硬化侧壁层之间的未被注入的有机层，该硬化的侧壁层宽度即为精细图案的线宽，硬化侧壁层之间的空隙即为精细图案的间隔。采用本发明的制作方法在确保精细图案准确度的情况下，大大简化了自对准双图案技术。

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