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TFT基板的制作方法及TFT基板

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510894341.2
  • IPC分类号:H01L21/77;H01L27/12
  • 申请日期:
    2015-12-07
  • 申请人:
    深圳市华星光电技术有限公司
著录项信息
专利名称TFT基板的制作方法及TFT基板
申请号CN201510894341.2申请日期2015-12-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-02-24公开/公告号CN105355593A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/77IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;7;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2查看分类表>
申请人深圳市华星光电技术有限公司申请人地址
广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市华星光电技术有限公司当前权利人深圳市华星光电技术有限公司
发明人李亚;徐源竣
代理机构深圳市德力知识产权代理事务所代理人林才桂
摘要
本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明的TFT基板的制作方法,通过在基板上沉积缓冲层与非晶硅锗层,在所述非晶硅锗层的上部植入掺杂离子,形成掺杂非晶硅锗层,然后采用快速热退火工艺对所述掺杂非晶硅锗层和未掺杂非晶硅锗层进行晶化处理,由于该晶化过程是从掺杂非晶硅锗层开始,且掺杂非晶硅锗层的晶化温度较低,因此该晶化过程可以在较低的温度下进行,而与掺杂非晶硅锗层接触的未掺杂非晶硅锗层在该低温下可以继续结晶,从而得到掺杂多晶硅锗层和未掺杂多晶硅锗层,相较于现有的固相晶化等结晶工艺来说,本发明的结晶制程可以在更低的温度下进行,并且能够缩短结晶时间,改善结晶效果,可制得更大更均匀的晶粒。

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