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具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010170915.9
  • IPC分类号:H01L33/44;H01L33/46
  • 申请日期:
    2010-05-04
  • 申请人:
    厦门市三安光电科技有限公司
著录项信息
专利名称具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管及其制备方法
申请号CN201010170915.9申请日期2010-05-04
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2010-09-22公开/公告号CN101840985A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/44IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;4;4;;;H;0;1;L;3;3;/;4;6查看分类表>
申请人厦门市三安光电科技有限公司申请人地址
福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人厦门市三安光电科技有限公司当前权利人厦门市三安光电科技有限公司
发明人林素慧;何安和;彭康伟;郑建森;林科闯
代理机构厦门原创专利事务所代理人徐东峰
摘要
本发明公开的具有双反射层的氮化镓基垂直发光二极管及其制备方法,在永久基板上形成第二焊接金属;在氮化镓基外延层上形成氧化铟锡导电层,呈网格状分布的分布布拉格反射层形成于氧化铟锡导电层上,在分布布拉格反射层及氧化铟锡导电层的表面暴露部分形成金属反射层,在金属反射层上形成第一焊接金属;氮化镓基外延层通过第一焊接金属、第二焊接金属与永久基板粘合;第一电极形成于氮化镓基外延层顶面,第二电极形成于永久基板底面。本发明采用分布布拉格反射层和金属反射层的双反射层结构,可充分发挥反射层的优异反射性,有效地提高发光二极管的发光效率,有效地避免传统垂直发光二极管中金属反射层与其他金属电极的扩散现象。

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