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增强拉曼光谱的二次还原锡银枝晶纳米结构的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110689452.5
  • IPC分类号:G01N21/65;C23C18/31;C23C18/54;B82Y40/00;B82Y30/00
  • 申请日期:
    2021-06-22
  • 申请人:
    西安邮电大学
著录项信息
专利名称增强拉曼光谱的二次还原锡银枝晶纳米结构的制备方法
申请号CN202110689452.5申请日期2021-06-22
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-09-17公开/公告号CN113406055A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N21/65IPC分类号G;0;1;N;2;1;/;6;5;;;C;2;3;C;1;8;/;3;1;;;C;2;3;C;1;8;/;5;4;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0查看分类表>
申请人西安邮电大学申请人地址
陕西省西安市雁塔区长安南路563号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安邮电大学当前权利人西安邮电大学
发明人董军;吴飞飞;高伟;韩庆艳;王勇凯;王炎;祁建霞
代理机构重庆萃智邦成专利代理事务所(普通合伙)代理人许攀
摘要
本申请涉及增强拉曼光谱的二次还原锡银枝晶纳米结构的制备方法,具体而言,涉及枝晶纳米结构制备领域。本申请提供的制备方法,将预设衬底放置在氯化亚锡‑乙醇溶液中反应第一预设时间,得到锡枝晶纳米结构,在避光条件下,将锡枝晶纳米结构放置在硝酸银溶液中反应第二预设时间,得到锡银枝晶纳米结构,将预设探针分子沉积在锡银枝晶纳米结构的表面,通过两步置换反应的步骤和一步沉积的步骤,制备得到锡银枝晶纳米结构,且通过在锡银枝晶纳米结构的表面沉积探针分子,在激发光入射条件下,由于锡银枝晶纳米结构对不同探针分子,具有不同的散射光谱,锡银枝晶纳米结构探通过增加探针分子的散射强度,即通过增加散射峰的强度,实现对拉曼光谱的增强。

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