加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

氮化镓类化合物半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN03816873.1
  • IPC分类号:H01L33/00
  • 申请日期:
    2003-07-01
  • 申请人:
    氮化物半导体株式会社
著录项信息
专利名称氮化镓类化合物半导体装置
申请号CN03816873.1申请日期2003-07-01
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2005-09-14公开/公告号CN1669158
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/00IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人氮化物半导体株式会社申请人地址
日本德岛 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人氮化物半导体株式会社当前权利人氮化物半导体株式会社
发明人酒井士郎;菅原智也
代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人刘宗杰;王忠忠
摘要
本发明涉及主要在不超过375nm的波长下发光的LED。LED由衬底(10)上的GaN层(16)、n-覆盖层(20)、AlInGaN缓冲层(22)、发光层(24)、p-覆盖层(26)、p电极(30)、n电极(32)构成。发光层(24)为对InGaN阱层和AlInGaN阻挡层进行层叠而成的多层量子阱结构(MQW)。通过量子阱结构扩大了InGaN阱层的有效带隙并使发光波长变短。此外,通过在发光层(24)的基底层采用AlInGaN缓冲层(22),从而有效地将电子注入到发光层(24),增大发光效率。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供