一种Cu掺杂氢氧化钴纳米片阵列结构材料及其制备方法和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202010531881.5
IPC分类号：--
申请日期：
2020-06-11
申请人：
安徽师范大学

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专利名称	一种Cu掺杂氢氧化钴纳米片阵列结构材料及其制备方法和应用
申请号	CN202010531881.5	申请日期	2020-06-11
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-03	公开/公告号	CN111883367A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	安徽师范大学	申请人地址	安徽省芜湖市弋江区花津南路安徽师范大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	安徽师范大学	当前权利人	安徽师范大学
发明人	吴正翠;王相宇;高峰
代理机构	芜湖安汇知识产权代理有限公司	代理人	尹婷婷

摘要

本发明公开了一种Cu掺杂氢氧化钴纳米片阵列结构材料及其制备方法和应用；将铜盐、钴盐和六亚甲基四胺溶解于水和甲醇的混合溶剂中，将溶液转移至反应釜中，将泡沫镍倾斜置于溶液中，进行溶剂热反应，反应结束后冷却至室温，产物经洗涤、干燥，即可制得Cu掺杂Co(OH)2纳米片阵列结构材料；本公开的Cu掺杂Co(OH)2纳米片阵列结构，利用Cu掺杂可以有效地调节Co(OH)2的电子结构，减小电阻，增加活性位点，提高亲水性，加快电子转移速率；所述Cu掺杂Co(OH)2纳米片阵列结构材料作为尿素氧化反应、析氢反应和全尿素电解反应的电催化剂，具有活性高、耐久性好以及制备工艺简单、成本低廉的优点，对研究产氢电催化电极材料的实际应用非常具有价值。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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