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一种改进亚阈值摆幅和开关比的有机薄膜晶体管及制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910401316.4
  • IPC分类号:H01L51/05;H01L51/40
  • 申请日期:
    2019-05-15
  • 申请人:
    华东师范大学
著录项信息
专利名称一种改进亚阈值摆幅和开关比的有机薄膜晶体管及制备方法
申请号CN201910401316.4申请日期2019-05-15
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-08-16公开/公告号CN110137355A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L51/05IPC分类号H;0;1;L;5;1;/;0;5;;;H;0;1;L;5;1;/;4;0查看分类表>
申请人华东师范大学申请人地址
上海市闵行区东川路500号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华东师范大学当前权利人华东师范大学
发明人李文武;潘哲成;黄凡铭;许洋;胡志高;褚君浩
代理机构上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙)代理人徐筱梅;张翔
摘要
本发明公开了一种改进亚阈值摆幅和开关比的有机薄膜晶体管及制备方法,对比对象为现有技术制备的顶栅底接触结构有机薄膜晶体管。通过掩膜版在现有技术制备的顶栅底接触结构有机薄膜晶体管的栅极上真空热蒸镀出20~40纳米的栅极保护层,再依次采取干氧刻蚀及紫外曝光刻蚀的方式,利用有机薄膜晶体管中栅极的自对准作用,将未被栅极所覆盖的绝缘介电层和半导体沟道层刻蚀。本发明提高了有机半导体沟道载流子产生速率,并且防止源漏电极附近,未被栅极覆盖的半导体沟道层激发出载流子,使关态电流增加。在保持良好电学性能的同时,减小了亚阈值摆幅并且提高了开关比,具有成本低廉、工艺便捷且适用于各类顶栅底接触结构有机薄膜晶体管的特点。

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