低功耗EMCCD倍增信号驱动方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210407939.0
IPC分类号：H04N5/372
申请日期：
2012-10-24
申请人：
中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	低功耗EMCCD倍增信号驱动方法
申请号	CN201210407939.0	申请日期	2012-10-24
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-01-16	公开/公告号	CN102883116A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H04N5/372 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H04 电通信技术 H04N 图像通信，如电视 H04N5/00 电视系统的零部件（扫描部件或其与供电电压产生的组合入H04N 3/00）〔4，2011.01〕 H04N5/30 转变光或模拟信息为电信号（H04N 5/222优先；扫描零部件入H04N 3/00）〔2，4，7〕 H04N5/335 利用固态图像传感器〔SSIS〕（H04N 5/32，H04N 5/33优先）〔4，2011.01〕 H04N5/369 SSIS 结构；与其相关的电路〔2011.01〕 H04N5/372 电荷耦合器件〔CCD〕传感器；专门适用于SSIS的时间延迟和积分〔TDI〕寄存器或者移位寄存器〔2011.01〕	IPC分类号	H;0;4;N;5;/;3;7;2查看分类表>
申请人	中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心	申请人地址	江苏省苏州市高新区龙山路89号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心	当前权利人	中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
发明人	张猛蛟;李秋利;于洪洲;刘庆飞;刘艳;简云飞
代理机构	南京纵横知识产权代理有限公司	代理人	董建林

摘要

本发明公开了一种低功耗EMCCD倍增信号驱动方法，通过不同脉冲宽度、非交叠的两个输入信号分别驱动输出级的NMOS管和PMOS管，由所述NMOS管和PMOS管输出的信号驱动EMCCD。本发明通过不同脉冲宽度、非交叠的两个输入信号分别驱动输出级的NMOS管和PMOS管，从而减小输出级的同时导通时间，增强驱动能力，有效降低驱动电路自身的功耗，解决EMCCD倍增信号驱动电路在高频率、高电压下的高功耗问题。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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