多晶硅块及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201710531719.1
IPC分类号：C01B33/02;C01B33/021;C01B33/037
申请日期：
2013-08-06
申请人：
瓦克化学股份公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	多晶硅块及其制造方法
申请号	CN201710531719.1	申请日期	2013-08-06
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-10-17	公开/公告号	CN107253722A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/02 硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）〔5〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;2;;;C;0;1;B;3;3;/;0;2;1;;;C;0;1;B;3;3;/;0;3;7查看分类表>
申请人	瓦克化学股份公司	申请人地址	德国慕尼黑变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瓦克化学股份公司	当前权利人	瓦克化学股份公司
发明人	汉斯·沃赫纳;拉斯洛·法布里
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	张英;宫传芝

摘要

本发明涉及多晶硅块及其制造方法。所述多晶硅块为方形并且在其表面上具有小于200pptw的金属含量和小于50ppta的掺杂剂含量。所述制造方法包括：提供多晶硅棒，将所述多晶硅棒粉碎成方形块，以及对多晶硅块进行清洁，其中，使用具有至少一个齿辊的齿辊式粉碎机进行粉碎，所述至少一个齿辊包含W2C相，或者包含WC相以及0.1‑10％选自由以下组成的组中的金属碳化物：碳化钛、碳化铬、碳化钼、碳化钒和碳化镍，或者由具有1–25％W的钢组成。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供