加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

超细温度稳定型多层陶瓷电容器介电材料及其烧结工艺

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN03147880.8
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2003-06-27
  • 申请人:
    清华大学
著录项信息
专利名称超细温度稳定型多层陶瓷电容器介电材料及其烧结工艺
申请号CN03147880.8申请日期2003-06-27
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2003-12-10公开/公告号CN1461023
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人清华大学申请人地址
北京市北京-82信箱 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人清华大学当前权利人清华大学
发明人王晓慧;陈仁政;文海;李龙土;桂治轮
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明公开了属于电容器材料制备技术范围的一种超细温度稳定型多层陶瓷电容器介电材料及其烧结工艺。该材料含有主成份BaTiO3及二次添加剂CaO、CaTiO3、BaO、SiO2、SrO、MnO2、MgO、Co2O3、Co3O4、Fe2O3、Y2O3以及一种或一种以上的稀土氧化物。在还原气氛中,陶瓷材料在1100℃到1350℃的温度范围内采用“两段式”微晶控制技术烧结工艺。获得了性能优良的温度稳定型(包括X7R及X5R型)MLCC抗还原介电材料:陶瓷的晶粒大小可以控制在100nm~500nm范围内,材料的室温介电常数可以控制在2000和4000之间,容温变化率≤±15%,室温介电损耗≤2.5%,材料均匀性好,可生产大容量、超薄介电层(介电层厚度小于10μm)的多层陶瓷电容器。本发明提供的烧结工艺可行,适用于工业化生产。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供