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一种三维多孔碳包裹硅的复合负极材料及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610297819.8
  • IPC分类号:H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525
  • 申请日期:
    2016-05-06
  • 申请人:
    香港城市大学
著录项信息
专利名称一种三维多孔碳包裹硅的复合负极材料及其制备方法
申请号CN201610297819.8申请日期2016-05-06
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2017-11-14公开/公告号CN107346820A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M4/36IPC分类号H;0;1;M;4;/;3;6;;;H;0;1;M;4;/;3;8;;;H;0;1;M;4;/;6;2;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;5查看分类表>
申请人香港城市大学申请人地址
中国香港九龙 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人香港城市大学当前权利人香港城市大学
发明人张文军;邹儒佳;袁牧锋
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人杨雯茜;姚亮
摘要
本发明提供了一种三维多孔碳包裹硅的复合负极材料及其制备方法。该复合负极材料由碳布基底、生长在碳布基底上的三维多孔碳层、以及包裹于三维多孔碳层中的硅纳米材料组成。该复合负极材料的制备方法为:将淀粉、氢氧化钠与水的混合液涂覆在碳布上,然后干燥、煅烧,冷却至室温后放入盐酸溶液中浸泡,洗涤、干燥后,得到具有三维多孔碳层的碳布;将硅纳米材料与乙二醇和/或丙二醇溶液混合,然后与所述具有三维多孔碳层的碳布进行水热反应,冷却至室温后,洗涤、干燥,得到所述的三维多孔碳包裹硅的复合负极材料。本发明提供的复合负极材料是一种高导电性、高容量的负极材料,并且该复合负极材料能够减小硅基材料的体积变化对结构的影响。

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