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一种用于电机驱动芯片的超低待机功耗电路

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711441909.0
  • IPC分类号:H02M1/00
  • 申请日期:
    2017-12-26
  • 申请人:
    上海数明半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种用于电机驱动芯片的超低待机功耗电路
申请号CN201711441909.0申请日期2017-12-26
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2018-05-11公开/公告号CN108023464A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H02M1/00IPC分类号H;0;2;M;1;/;0;0查看分类表>
申请人上海数明半导体有限公司申请人地址
上海市金山区金山工业区亭卫公路6558号4幢628室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海数明半导体有限公司当前权利人上海数明半导体有限公司
发明人吴国明
代理机构上海汉声知识产权代理有限公司代理人黄超宇;胡晶
摘要
本发明公开了一种用于电机驱动芯片的超低待机功耗电路,包括逻辑控制单元据输入的IN1和IN2信号经逻辑处理产生P_CTRL和N_CTRL信号;高端供电级据输入的IN1和IN2信号产生供电电压VIN‑VDD;低端供电级单元据输入的IN1和IN2信号产生供电电压VDD;高端驱动级据输入的P_CTRL信号由逐渐变大的反相器推挽输出P_DRV信号;低端驱动级据输入的N_CTRL信号由逐渐变大的反相器推挽输出N_DRV信号;电阻R1一端与高端驱动级的输出端和PMOS功率管P1的栅极连接,另一端与高端驱动级和高端供电级的输入端以及PMOS功率管P1的源极连接;电阻R2一端与低端驱动级的输出端和NMOS功率管N1的栅极连接,另一端与NMOS功率管N1的源极连接并同时接地;PMOS功率管P1的漏极与NMOS功率管N1的漏极连接。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供