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稀土改性碳纳米管硅太阳能电池的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210045876.9
  • IPC分类号:H01L31/18;C23C16/44;C23C16/34
  • 申请日期:
    2012-02-27
  • 申请人:
    浙江启鑫新能源科技股份有限公司
著录项信息
专利名称稀土改性碳纳米管硅太阳能电池的制备方法
申请号CN201210045876.9申请日期2012-02-27
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2013-09-11公开/公告号CN103296127A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4;;;C;2;3;C;1;6;/;3;4查看分类表>
申请人浙江启鑫新能源科技股份有限公司申请人地址
浙江省宁波市象山县滨海工业园区金港路37号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人浙江启鑫新能源科技股份有限公司当前权利人浙江启鑫新能源科技股份有限公司
发明人梁海;程先华;孙洪涛;王传英;宋宇;雷子恒
代理机构上海旭诚知识产权代理有限公司代理人郑立
摘要
本发明公开了一种稀土改性碳纳米管晶硅太阳能电池的制备方法,该方法包括如下步骤:首先,对制好PN结的硅片进行表面羟基化处理,再浸入配制好的氨基硅烷溶液中,在基片表面组装氨基硅烷薄膜;其次,置入三氯氧化磷溶液中,在薄膜表面组装上磷酸基团;然后,将基片置入经稀土改性后的碳纳米管悬浮液,取出后清洗干净,烘干,得到表面沉积有稀土改性碳纳米管复合薄膜的硅片。利用PECVD技术在表面制作一层氮化硅减反射膜,然后印刷正、负电极,制成所述太阳能电池。本发明工艺简单、成本低,适合工业大规模生产,对环境无污染,同时,能很好的改善碳纳米管分散性以及与硅基体的界面结合力,制得高光电转化效率的硅太阳能电池。

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