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单晶氮化镓基体的制造方法和单晶氮化镓基体

发明专利无效专利

申请号：
CN01122442.8
IPC分类号：--
申请日期：
2001-07-09
申请人：
住友电气工业株式会社

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	单晶氮化镓基体的制造方法和单晶氮化镓基体
申请号	CN01122442.8	申请日期	2001-07-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-01-23	公开/公告号	CN1332480
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	住友电气工业株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	住友电气工业株式会社	当前权利人	住友电气工业株式会社
发明人	元木健作;笠井仁;冈久拓司
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	范明娥

摘要

本发明提供一种贯通位错密度小，而且在基体表面中不存在位错束，不产生劈开面紊乱的GaN基体制造方法和GaN基体。对GaN单结晶锭，在与生长方向平行的面处进行切片加工制作基体，由于位错走向平行于表面，形成低位错密度。将其作为晶种生长GaN。

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