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对准标记保护层的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110319258.4
IPC分类号：H01L21/02;G03F9/00;H01L23/544
申请日期：
2011-10-19
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	对准标记保护层的制作方法
申请号	CN201110319258.4	申请日期	2011-10-19
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-04-24	公开/公告号	CN103065929A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;G;0;3;F;9;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;5;4;4查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	王刚宁;唐凌;李远哲;朱立平;梁国亮
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	骆苏华

摘要

一种对准标记保护层的制作方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有零层标记；形成覆盖所述零层标记的氧化硅层；形成覆盖所述氧化硅层和半导体衬底表面的至少一层外延硅层，零层标记区域的外延硅层的厚度小于其他区域的外延硅层厚度；对外延硅层进行氧化处理，使零层标记区域的外延硅层完全氧化。本发明提供的对准标记保护层的制作方法，提高光刻的对准精度和对准能力。

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